Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.

Спецификация:

• Маркировка: W45NM50;
• Тип транзистора: MOSFET;
• Полярность: N;
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 417 W;
• Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V;
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V;
• Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V;
• Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 45 A;
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C;
• Общий заряд затвора (Qg): 87 nC;
• Время нарастания (tr): 107.5 ns;
• Выходная емкость (Cd): 610 pf;
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm;
• Тип корпуса: TO247.

Подключение: